Ese Edén electroluminiscente, en el que todos podremos acceder a bombillas de semiconductor, de bajo consumo y de bajo coste, está cada vez más cerca (y no solo para los creyentes en el dios de la tecnología punta).
Según informa en un comunicado de prensa, la empresa Bridgelux ha desarrollado una tecnología que permite el crecimiento epitaxial de semiconductor GaN sobre una oblea-base normal de silicio. Aunque a muchos esta frase os pueda parecer un arcano insondable, para los iniciados suena a música celestial.
En efecto, hasta ahora la tecnología empleada para fabricar LEDs emplea obleas-base de zafiro o de carburo de silicio, compuestos caros y que habitualmente se ofrecen en obleas de pequeño tamaño. Para reducir costes, siempre se tiende a emplear obleas grandes, típicamente de 8 pulgadas, pero obtenerlas de esta talla en estos materiales resulta muy caro y complicado. La nueva tecnología de Bridgelux, al formar los diodos LED directamente sobre una arcáica oblea de silicio (la de los transistores de toda la vida) permitirá, según la empresa, reducir los costes en un 75% (¡!), y sin perder mucha luminosidad. En las pruebas se ha obtenido un rendimiento de 135 lumens por watio usando un solo LED de 1,5mm trabajando a 350mA. Estos resultados son comparables con las bombillas a LED de zafiro disponibles hace 12-24 meses.
La espectacular reducción de costes, aparte de por el uso de compuestos más baratos, se debe a que la optimización del proceso de crecimiento epitaxial sobre obleas normales de silicio de 8 pulgadas hará compatible la manufactura de estos LEDs con las actuales líneas automatizadas de producción de semiconductores de silicio, simplificando extraordinariamente los procesos de fabricación.
Bridgelux espera que sus productos de GaN sobre base de silicio estén disponibles comercialmente en el curso de los próximos dos-tres años.
Así que, nunca mejor dicho, parece que tenemos un futuro brillante.
Más info en la web de Bridgelux.
Xavier
